Компьютерная память (устройство хранения информации, запоминающее устройство) - часть вычислительной машины, физическое устройство или среда для хранения данных, используемая в вычислениях, в течение определённого времени. Память в вычислительных устройствах имеет иерархическую структуру и обычно предполагает использование нескольких запоминающих устройств, имеющих различные характеристики.

Основными характеристиками памяти являются: Быстродействие памяти определяется временем выполнения операции записи или считывания данных. Здесь важно минимальное время доступа и длительность цикла обращения. Время доступа определяется как задержка появления действительных данных относительно начала цикла чтения. Разрядность шины памяти – это количество байт или бит, с которыми операция чтения/записи может быть выполнена одновременно.

В качестве оперативной памяти обычно используется DRAM – динамическая память, на сегодняшний день имеющая лучшее сочетание объема, плотности упаковки, энергопотребления и цены.

Физически память представлена в виде отдельных микросхем (чипов), объединенных в специальные платы (модули). Существует несколько тип подобных плат, отличающихся внешними разъемами и организацией: SIPP, SIMM, DIMM, DIMM DDR.

ROM (read only memory) –– постоянное запоминающее устройство (ПЗУ), энергонезависимая память, которая поддерживает процедуру начальной загрузки ПК, выполняет различные проверки и настройки и загружает в RAM ОС с системного устройства . Наиболее важным элементом постоянной памяти является BIOS (basic input output system). Процедуры BIOS всегда привязаны к конкретной реализации системной платы и осуществляют поддержку стандартных ресурсов компьютерной системы. При начальной загрузке он тестирует компоненты ПК и сигнализирует о состоянии системы звуковыми сигналами. Инструкции сигналов описаны в инструкции к системной плате.

Работает только на чтение. ROM память представляет собой микросхему, устанавливаемую в специальный разъем (сокет):

PROM – однократно программируемая память. Программа в микросхему записывается при ее изготовлении.

EPROM (Erasable) – стираемая память. Ультрафиолетовым облучением можно стереть информацию и записать на специальных устройствах – программаторах.

EEPROM (Electrical Erasible PROM) – электрически стираемая (перезаписываемая) память.

RAM (Random Access Memory) – оперативное запоминающее устройство (ОЗУ). Служит для временного хранения программ и данных. Работает как на чтение, так и на запись. Доступ к ней самый быстрый. Любая информация может быть обработана ЦП только если она находится в ОП. Основная функция ОЗУ – выдача или прием данных по запросам ЦП, содержащим адреса ячеек. Множество допустимых значений адресов называется адресным пространством . Память представляет собой последовательность байтов, каждому байту соответствует свой уникальный номер – физический адрес. Диапазон значений физических адресов зависит от разрядности шины адреса микропроцессора.

CMOS – технология изготовления микросхем, которая отличается малым электропотреблением и невысоким быстродействием. Подпитывается от батарейки 3,6 V.

В CMOS-памяти хранится информация о текущих показаниях часов и конфигурации компьютера : Объем оперативной памяти. Количество и тип гибких дисков. Характеристики жестких дисков. Порядок загрузки. Энергосбережения. Использование системных и встроенных контроллеров и тд.

Эта память необходима для нормального и правильного функционирования многих процедур BIOS. В самом BIOSе, есть возможность редактирования содержимого CMOS.

Flash-memory – разновидность EEPROM. Энергонезависимая память, допускающая многократную перезапись. Основное отличие от EEPROM: стирание содержимого ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определенного блока (кластера~512 байт). Таким образом, чтобы изменить один байт, сначала в буфер считывается весь блок, где содержится данный байт, стирается содержимое блока, изменяется значение байта в буфере, после чего происходит запись измененного в буфере блока.

Преимущества флеш-памяти по сравнению с EEPROM:

А) Выше скорость записи при последовательном доступе, за счет того, что стирание производится блоками.

Б) Низкая себестоимость производства

Главный недостаток: медленная запись в произвольные участки памяти.

CACHE – сверхбыстрая память. Буфер обмена между ЦП и «медленным» ОЗУ. Реализована на аппаратном уровне и программно не обнаруживается. Снижает общее количество тактов ожидания ЦП при обращении к памяти. Кэш хранит копии блоков данных тех областей ОЗУ, к которым происходили последние обращения. И весьма вероятное следующее обращение к тем же данным будет обработано кэш-памятью существенно быстрее, чем ОЗУ. От эффективности алгоритма кэширования зависит вероятность нахождения затребованных данных в кэш-памяти и, следовательно, выигрыш в производительности памяти и компьютера в целом. Кэш строится по двухуровневой схеме: внутренний кэш процессора (8-16 кбайт) и внешний кэш(64-512 кбайт, но работает медленее). Кэширование широко применяется как буфер между быстрыми и медленными устройствами, например, в контроллерах жестких и оптических дисков.

Все андроид смартфоны оснащаются различными типами памяти - RAM (ОЗУ), ROM (ПЗУ), Internal phone storage, они обеспечивают работу внутренних процессов или сохранность определенной информации.

Память андроид смартфонов RAM (Random Access Memory ),или ОЗУ (оперативное записывающее устройство) – это та память, которая обеспечивает работу запущенных или запускаемых процессов. Данный тип памяти является как бы буферной памятью, она может использоваться практическими любыми приложениями, как внутренними системными, так и сторонними (установленными).

Память android смартфонов RAM (Random Access Memory)

Информация записывается и стирается очень быстро без эмуляции. Оперативная память RAM требует непрерывный источник питания, в этом случае информация, находящаяся в блоках памяти является действительной, в случае отключения энергии (отключение смартфона) содержимое оперативной памяти RAM удаляется. Современные ОС Android могут управлять RAM памятью на основе ее объема, решая, сколько приложений можно запускать одновременно, или в каком порядке обрабатывать ресурсоемкие приложения. Системную информацию о состоянии оперативной памяти RAM , можно посмотреть в менеджере задач (Task Managers), тут отображаются работающие в текущий момент процессы, количество выделенной для них памяти, а также свободная, незадействованная память вашего устройства. Если при работе с андроид устройствами (смартфон, планшет, ноутбук) у вас появляется сообщение, что не хватает памяти для работы запускаемого приложения, тогда нужно отключить не нужные вам процессы в меню НАСТРОЙКИ – ПРИЛОЖЕНИЯ – РАБОТАЮЩИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ. Это позволит оптимизировать оперативную память RAM .

Память android смартфонов ROM (Read Only Memory)

Следующий тип памяти андроид устройств - ROM (Read Only Memory), по нашему ПЗУ (постоянное запоминающее устройство). Основное отличие ROM-памяти от RAM-памяти, заключается в том, что она не требует источника питания для работы, таким образом, этот тип памяти является постоянным (не стираемым) даже при выключенном смартфоне или др. устройстве. Обычно в андроид смартфонах RO M-память используется для хранения самой операционной системы.

Еще одной важной характеристикой ROM-памяти является тот факт, что она может использоваться только для чтения, вся информация, сохраняемая этим типом памяти, не может быть изменена в обычных условиях. Это обязательное условие защищает информацию от случайного стирания. ROM память андроид смартфонов разделена на несколько частей, в одной из них хранится сама ОС Android , доступ к ее файлам ограничен. Для получения доступа, пользователю необходимо получить root права (супер-администратор), и только тогда вы сможете что-либо изменять в этом разделе. Стоит заметить, что при получении root прав, вы лишаетесь гарантии на работоспособность вашего устройства, данную производителем. Обычно пользователи используют root права для перепрошивки ОС своими силами.

Внутренняя память android смартфонов (Internal phone storage)

Третий тип памяти в андроид смартфоне – это внутренняя память (Internal phone storage) . Попросту говоря, это та память, которая доступна пользователю для хранения его личной информации (программы, приложения, текстовая информация, и др.), сюда не входит память SD-карт. Эта память не требует постоянного источника питания и позволяет неоднократно стирать и записывать информацию в ее разделах. Для того, что посмотреть состояние памяти, количество, наименование и размер установленных в ее разделах приложений, нужно зайти в меню НАСТРОЙКИ – ПРИЛОЖЕНИЯ – ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПАМЯТИ. В этом же меню можно удалять ненужные или неиспользуемые андроид приложения для увеличения объема внутренней памяти . Также это меню позволяет переносить данные на SD-карту, что тоже позволяет освободить место во внутренней памяти андрод смартфона.

Память android смартфонов MicroSD / SDHC

И последний тип памяти, доступной в андроид смартфоне – это MicroSD / SDHC , или карты флэш-памяти. Этот тип памяти может быть использован пользователем в широком диапазоне, сюда можно записывать любую информацию, удалять ее или редактировать. На карту памяти можно переносить часть приложений из постоянной внутренней памяти, что освобождает ее пространство для системных программ. В настоящее время объем такой памяти может достигать 64 ГБ, чего более чем достаточно для таких андроид устройств, как смартфон или планшет.

Все компьютеры требуют где-то хранить информацию, которую они обрабатывают. Такое хранилище информации обычно организовывается на двух уровнях: основная память (состоящая из полупроводниковой памяти RAM и ROM) и массовая память (обычно реализуемая с помощью магнитных и оптических дисков разных типов). Память ROM является энергонезависимой и применяется для хранения программ и данных, которые должны сохраняться мри отключенном питании компьютера. Память RAM удерживает информацию только до тех пор, пока на нее подается питание. Лю­бое, самое короткое прерывание питания вызовет потерю содержимого RAM. Такая память называется энергозависимой (volatile). С другой стороны, память ROM является энергонезависимой и продолжает удерживать информацию, даже когда на нее не пода­ется питание.

В зависимости от их внутренней архитектуры полупроводниковые устройства памяти RAM и ROM могут хранить разные объемы данных. Базовой единицей измерения объ­ема полупроводниковой памяти является байт, который состоит из восьми битов ин­формации. Бит (от англ. bit, binary digit - двоичная цифра) - это наименьшая едини­ца информации, которая может быть представлена в цифровой системе.

В большей части архитектуры ПК информация обрабатывается в той или иной кратно­сти байтов, называемой словом. Например, 64-разрядный процессор обрабатывает ин­формацию во фрагментах по 8 байт. Это число и называется словом процессора. Размер слова разных устройств ПК не всегда совпадает. Например, размер слова процессора может быть 8 байт (64 бита), устройства памяти - 4 байта (32 бита), а шины (канала связи между устройствами системы)- 1 байт (8 бит). В случаях, когда требуется вы­полнить обмен данными между устройствами с разными размерами слова, большее слово нужно разбить на слова размера, применяемого в устройстве с меньшим разме­ром слова, и переслать его за несколько раз.

Память RAM для системных плат на основе процессоров Pentium поставляется в виде модулей DIMM (Dual Inline Memory Module, модуль памяти с двухрядным расположе­нием выводов). Эти модули состоят из микросхем памяти, смонтированных на обеих сторонах небольшой печатной платы, которая вставляется в специальные разъемы с защелкивающимися фиксаторами на системной плате. Когда модуль DIMM вставляет­ся до упора в разъем, фиксаторы на обоих концах разъема автоматически защелкива­ются и удерживают модуль памяти в разъеме. Чтобы модуль нельзя было вставить в разъем наоборот, на разъеме модуля имеются пазы, а в разъеме платы - соответст­вующие перемычки. Типичный модуль DIMM показан на рис. 1.12.

Рис. 1.12. Модуль памяти DIMM

Объем информации, вмещающейся в модули DIMM, типично указывается в мегабайтах (Мбайт) или гигабайтах (Гбайт). Типичный модуль памяти может хранить от 256 Мбайт до 1 Гбайт информации. Но по мере развития технологий производства памяти эти объемы продолжают увеличиваться.

Геометрия модуля памяти указывается в формате XÍY, где X означает размер слова в битах, а Y- количество слов. Так, модуль памяти объемом в 512 Мбайт, предназна­ченный для работы с 64-разрядным микропроцессором, будет рассчитан поставлять данные в 8-байтовых словах (64 бита Í 8 млн слов).

ПК обычно продаются, оснащенные не полным объемом RAM. Это позволяет пользо­вателю дешевле приобрести компьютер, который будет удовлетворять его текущим требованиям, но предоставляет возможность установить дополнительную RAM, если это потребуется в будущем.

Каждая системная плата содержит ROM, в которой хранится программа системы базо­вого ввода/вывода BIOS. Программа BIOS содержит инструкции для основных видов взаимодействия между микропроцессором и различными устройствами ввода/вывода системы. До недавних пор информацию в чипах ROM изменить было нельзя и для са­мого незначительного обновления программы BIOS необходимо было менять ROM.

Достижения в технологии производства памяти EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read Only Memory, электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство, ЭСППЗУ) позволили выпускать память ROM, называю­щуюся флэш-памятью (от англ. flash memory; процесс записи новой информации в такую память называется flashing), содержимое которой можно обновлять. Новую информацию в ИС ROM можно загрузить с диска обновлений или по сети с другого компьютера. Количество обновлений, которые можно записывать во флэш-память, неограниченно. В отличие от ИС RAM, содержимое флэш ROM не исчезает при от­ключении питания. В любом случае новая программа BIOS должна быть самой по­следней версии, а также совместимой с системной платой, для которой выполняется обновление.

RAM (Random Access Memory) - оперативная память устройств с произвольным доступом. Память какого-либо устройства, в нашем случае мобильного телефона, это одна или несколько микросхем, которые выполнены по специальным технологиям с особыми требованиями. Такие микросхемы предназначены для временного или постоянного хранения информации, а также данных во время выполнения программных процессов. То есть, запущенные программы и сопутствующая им информация хранится памятью RAM.

Существуют две категории микросхем - RAM и ROM. Основное отличие RAM от ROM - высокая скорость работы, а также отсутствие способности хранить данные при отключенном питании. Устройства с маленькой оперативной памятью способны запустить немного программ, а это значит, что чем больше памяти, тем больше программ можно одновременно запустить. RAM характеризуется объемом в мегабайтах.

Оперативная память существует у многих устройств - телефонов, смартфонов, ноутбуков, навигаторов. Каждое устройство требует нужное себе количество мегабайтов памяти, поскольку назначение и количество задач у них разное. Как правило, оперативной памяти в 128 Мб для мобильных телефонов вполне хватает. Основные задачи одновременно вполне могут вместиться в данный размер RAM. Чтение книг, прослушивание музыки, просмотр видеоклипов, а также работа в Интернете - все это входит в основные задачи. Если же вы планируете использовать смартфон для навигатора, а также для одновременной работы специальных приложений, то оперативная память должна быть в два или даже три раза больше.

Оперативная память является одной из важнейших составляющих успешной работы системы. Приобретая мобильный телефон, внимательно ознакомьтесь с характеристиками RAM. Параметр памяти особо на влияет на смартфоны с платформой Symbian. Если для работы вам нужно устройство с большим объемом памяти, то для Symbian она практически не имеет значения.

Используется для хранения массива неизменяемых данных. В английской терминологии Read Only Memory - это память, работающая только на считывание. Информация, находящаяся в такой памяти, заранее закладывается при ее изготовлении («зашивается») и при отключении питания не разрушается.

Исторический прообраз

Постоянные запоминающие устройства стали находить применение в технике задолго до появления ЭВМ и электронных приборов. В частности, одним из первых типов ПЗУ был кулачковый валик, применявшийся в шарманках, музыкальных шкатулках, часах с боем.

С развитием электронной техники и ЭВМ возникла необходимость в быстродействующих ПЗУ. В эпоху вакуумной электроники находили применение ПЗУ на основе потенциалоскопов, моноскопов, лучевых ламп. В ЭВМ на базе транзисторов в качестве ПЗУ небольшой ёмкости широко использовались штепсельные матрицы. При необходимости хранения больших объёмов данных (для ЭВМ первых поколений - несколько десятков килобайт) применялись ПЗУ на базе ферритовых колец (не следует путать их с похожими типами ОЗУ).

Именно от этих типов ПЗУ и берёт своё начало термин «прошивка» - логическое состояние ячейки задавалось направлением навивки провода, охватывающего кольцо. Поскольку тонкий провод требовалось протягивать через цепочку ферритовых колец для выполнения этой операции применялись металлические иглы, аналогичные швейным. Да и сама операция наполнения ПЗУ информацией напоминала процесс шитья.

Виды памяти

Упрощенная структура ПЗУ

По своему функциональному назначению запоминающие устройства можно разделить на классы:

• регистровые внутренние запоминающие устройства;
• основная память;
• внешние запоминающие устройства (ВЗУ).

Запоминающие устройства, входящие в состав основной памяти, составляют важнейший модуль любого компьютера, в них хранятся программы и данные, обрабатываемые центральным процессором. В составе основной памяти выделим оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) и постоянное запоминающее устройство (ПЗУ).

Применение

В постоянной памяти хранятся программы, обеспечивающие работу технического устройства (телевизор, сотовый телефон, различные контроллеры и компьютеры) после его включения в сеть (Basic Input Output System, BIOS) или OpenBoot на машинах SPARC . Здесь же хранятся данные, которые не изменяются в процессе эксплуатации. Постоянная память используется только в режиме чтения информации. Система BIOS связана с аббревиатурой CMOS. Это название дано постоянной перепрограммируемой памяти по лежащей в основе ее изготовления технологии CMOS - Complementary Metal-Oxide-Semiconductor . В системе BIOS имеется программа Setup, которая может изменять содержимое CMOS памяти в зависимости от конфигурации компьютера. В микросхеме CMOS реализованы также часы реального времени RTS (Rial Time Clock). Они работают и при выключенном из сети компьютере от специальной батарейки. Часы позволяют следить за текущим временем, пользователь компьютера всегда может узнать время, число, месяц, год, воспользоваться программами, которые ограничат время использования компьютера для игр детьми. Компьютер может напомнить его хозяину о необходимости предпринять заранее запланированные на определенное время действия, включить в определенное время электронную технику, или выключить ее и т.д.

BootROM - прошивка, такая, что если её записать в подходящую микросхему ПЗУ, установленную в сетевой карте, то становится возможна загрузка операционной системы на компьютер с удалённого узла локальной сети. Для встроенных в ЭВМ сетевых плат BootROM можно активировать через BIOS. ПЗУ в IBM PC-совместимых ЭВМ располагается в адресном пространстве с F600:0000 по FD00:0FFF.

Классификация

Часто используется английский термин ROM (Read-Only Memory). Но в английской терминологии термин применяют в более широком смысле - как ПЗУ, т.е. ROM можно переписать. В этом смысле ROM можно классифицировать следующим образом:

• По типу исполнения ПЗУ

1. ПЗУ, в которых массив данных (в обиходе называемый «прошивкой») совмещён с устройством выборки (считывающим устройством):

микросхема ПЗУ; один из внутренних ресурсов однокристальной микро ЭВМ (микроконтроллера), как правило, FlashROM;

1. ПЗУ, в которых массив данных существует самостоятельно (компакт-диск; гибкая грампластинка с цифровой записью (с 1975 года); перфокарта; перфолента; штрих-коды; монтажные «1» и монтажные «0»).

• По разновидностям микросхем выделяют ПЗУ:

Технология изготовления кристалла

ROM

ROM - (англ. read-only memory, постоянное запоминающее устройство) - масочное ПЗУ, изготавливаемое фабричным методом. Данный вид памяти называется Mask-ROM (Масочные ПЗУ). Память устроена в виде адресуемого массива ячеек (матрицы), каждая ячейка которого может кодировать единицу информации. Данные на ROM записывались во время производства путём нанесения по маске (отсюда и название) алюминиевых соединительных дорожек литографическим способом. Наличие или отсутствие в соответствующем месте такой дорожки кодировало "0" или "1". Mask-ROM отличается сложностью модификации содержимого (только путем изготовления новых микросхем), а также длительностью производственного цикла (4-8 недель). Поэтому, а также в связи с тем, что современное программное обеспечение зачастую имеет много недоработок и часто требует обновления, данный тип памяти не получил широкого распространения.

Преимущества:

1. Низкая стоимость готовой запрограммированной микросхемы (при больших объёмах производства).
2. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к электромагнитным полям.

Недостатки:

1. Невозможность записывать и модифицировать данные после изготовления.
2. Сложный производственный цикл.

PROM

PROM - (англ. programmable read-only memory, программируемое ПЗУ (ППЗУ)) - ПЗУ, однократно «прошиваемое» пользователем. В качестве ячеек памяти в данном типе памяти использовались плавкие перемычки. В отличие от Mask-ROM, в PROM появилась возможность кодировать ("пережигать") ячейки при наличии специального устройства для записи (программатора). Программирование ячейки в PROM осуществляется разрушением ("прожигом") плавкой перемычки путём подачи тока высокого напряжения. Возможность самостоятельной записи информации в них сделало их пригодными для штучного и мелкосерийного производства. PROM практически полностью вышел из употребления в конце 80-х годов.

Преимущества:

1. Высокая надёжность готовой микросхемы и устойчивость к электромагнитным полям и радиации.
2. Возможность программировать готовую микросхему, что удобно для штучного и мелкосерийного производства.
3. Высокая скорость доступа к ячейке памяти.

Недостатки:

1. Невозможность перезаписи
2. Большой процент брака
3. Необходимость специальной длительной термической тренировки, без которой надежность хранения данных была невысокой

Микросхема EPROM AMD AM2716, выпущенная в 1979 году

EPROM

EPROM - (англ. erasable programmable read-only memory, перепрограммируемое/репрограммируемое ПЗУ (ПППЗУ/РПЗУ)). Различные источники по-разному расшифровывают аббревиатуру EPROM - как Erasable Programmable ROM или как Electrically Programmable ROM (стираемые программируемые ПЗУ или электрически программируемые ПЗУ). В EPROM перед записью необходимо произвести стирание (соответственно появилась возможность перезаписывать содержимое памяти). Стирание ячеек EPROM выполняется сразу для всей микросхемы посредством облучения чипа ультрафиолетовыми (UV-EPROM) или рентгеновскими лучами в течение нескольких минут. Микросхемы, стирание которых производится путем засвечивания ультрафиолетом, были разработаны Intel в 1971 году, и носят название UV-EPROM (приставка UV (Ultraviolet) - ультрафиолет). Они содержат окошки из кварцевого стекла, которые по окончании процесса стирания заклеивают.

EPROM от Intel была основана на МОП-транзисторах с лавинной инжекцией заряда (FAMOS - Floating Gate Avalanche injection Metal Oxide Semiconductor, русский эквивалент - ЛИЗМОП). В первом приближении такой транзистор представляет собой конденсатор с очень малой утечкой заряда. Позднее, в 1973 году, компания Toshiba разработала ячейки на основе SAMOS (Stacked gate Avalanche injection MOS, по другой версии - Silicon and Aluminum MOS) для EPROM памяти, а в 1977 году Intel разработала свой вариант SAMOS.

В EPROM стирание приводит все биты стираемой области в одно состояние (обычно во все единицы, реже - во все нули). Запись на EPROM, как и в PROM, также осуществляется на программаторах (однако отличающихся от программаторов для PROM). В настоящее время EPROM практически полностью вытеснена с рынка EEPROM и Flash.

Достоинство: Возможность перезаписывать содержимое микросхемы

Недостатки:

1. Небольшое количество циклов перезаписи.
2. Невозможность модификации части хранимых данных.
3. Высокая вероятность "недотереть" (что в конечном итоге приведет к сбоям) или передержать микросхему под УФ-светом (т.н. overerase - эффект избыточного удаления, "пережигание"), что может уменьшить срок службы микросхемы и даже привести к её полной негодности.

EEPROM

EEPROM - (англ. electrically erasable programmable read-only memory, электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ) - электрически стираемые ППЗУ были разработаны в 1979 году в той же Intel. В 1983 году вышел первый 16Кбит образец, изготовленный на основе FLOTOX-транзисторов (Floating Gate Tunnel-OXide - "плавающий" затвор с туннелированием в окисле).

Главной отличительной особенностью EEPROM (в т.ч. Flash) от ранее рассмотренных нами типов энергонезависимой памяти является возможность перепрограммирования при подключении к стандартной системной шине микропроцессорного устройства. В EEPROM появилась возможность производить стирание отдельной ячейки при помощи электрического тока. Для EEPROM стирание каждой ячейки выполняется автоматически при записи в нее новой информации, т.е. можно изменить данные в любой ячейке, не затрагивая остальные. Процедура стирания обычно существенно длительнее процедуры записи.

Преимущества: (по сравнению с EPROM)

1. Увеличенный ресурс работы.
2. Проще в обращении.

Недостатки:

1. Высокая стоимость

Одной из разновидностей EEPROM является флеш-память (англ. flash memory) - разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.

• ПЗУ на магнитных доменах . Например, К1602РЦ5, которое имело сложное устройство выборки и хранило довольно большой объём данных в виде намагниченных областей кристалла, при этом не имея движущихся частей (см. Компьютерная память). Обеспечивает неограниченное количество циклов перезаписи;
• NVRAM - (англ. non-volatile memory, «неразрушающаяся» память) - ПЗУ, которое, строго говоря, не является ПЗУ. Это ОЗУ небольшого объёма, конструктивно совмещённое с батарейкой. В СССР такие устройства часто назывались «Dallas» по имени фирмы (англ.), выпустившей их на рынок. В NVRAM современных ЭВМ батарейка уже конструктивно не связана с ОЗУ и может быть заменена;

Доступ к памяти

• ПЗУ с параллельным доступом (parallel mode или random access) - ПЗУ, которое в системе может быть доступно в адресном пространстве ОЗУ.
• ПЗУ с последовательным доступом - ПЗУ, часто используемые для однократной загрузки констант или «прошивки» в процессор или ПЛИС, используемые для хранения, например, настроек каналов телевизора и других данных.

Способ программирования

• непрограммируемые ПЗУ;
• ПЗУ, программируемые только с помощью специального устройства - программатора ПЗУ (как однократно, так и многократно прошиваемые). Использование программатора необходимо, в частности, для подачи нестандартных и относительно высоких напряжений (до +/- 27 В) на специальные выводы;
• внутрисхемно (пере)программируемые ПЗУ (ISP - англ. in-system programming) - микросхемы, имеющие внутри генератор всех необходимых высоких напряжений. Могут быть перепрошиты программным способом, то есть, без программатора и без выпайки из печатной платы.