Мы уже рассказывали о том, как разгонять процессоры и видеокарты. Еще один компонент, достаточно ощутимо влияющий на производительность отдельно взятого компьютера, - оперативная память. Форсирование и тонкая настройка режима работы ОЗУ позволяют повысить быстродействие ПК в среднем на 5-10%. Если подобный прирост достигается без каких-либо денежных вложений и не влечет риски для стабильности системы - почему бы не попробовать? Однако начав готовить данный материал, мы пришли к выводам о том, что описания собственно процесса разгона будет недостаточно. Понять, почему и для чего надо изменять определенные настройки работы модулей, можно, лишь вникнув в суть работы подсистемы памяти компьютера. Потому в первой части материала мы кратко рассмотрим общие принципы функционирования ОЗУ. Во второй приведены основные советы, которых следует придерживаться начинающим оверклокерам при разгоне подсистемы памяти.

Основные принципы функционирования оперативной памяти одинаковы для модулей разных типов. Ведущий разработчик стандартов полупроводниковой индустрии JEDEC предоставляет возможность каждому желающему ознакомиться с открытыми документами, посвященными этой тематике. Мы же постараемся кратко объяснить базовые понятия.

Итак, оперативная память - это матрица, состоящая из массивов, именуемых банками памяти. Они формируют так называемые информационные страницы. Банк памяти напоминает таблицу, каждая ячейка которой имеет координаты по вертикали (Column) и горизонтали (Row). Ячейки памяти представляют собой конденсаторы, способные накапливать электрический заряд. С помощью специальных усилителей аналоговые сигналы переводятся в цифровые, которые в свою очередь образуют данные. Сигнальные цепи модулей обеспечивают подзарядку конденсаторов и запись/считывание информации.

Алгоритм работы динамической памяти можно описать такой последовательностью:

1. Выбирается чип, с которым будет осуществляться работа (команда Chip Select, CS). Электрическим сигналом проводится активация выбранной строки (Row Activate Selection). Данные попадают на усилители и могут быть считаны определенное время. Эта операция в англоязычной литературе называется Activate.
2. Данные считываются из соответствующей колонки/записываются в нее (операции Read/Write). Выбор колонок проводится командой CAS (Column Activate Selection).
3. Пока строка, на которую подан сигнал, остается активной, возможно считывание/запись соответствующих ей ячеек памяти.
4. При чтении данных - зарядов конденсаторов - их емкость теряется, поэтому требуется подзарядка или закрытие строки с записью информации в массив памяти (Precharge).
5. Конденсаторы-ячейки со временем теряют свою емкость и требуют постоянной подзарядки. Эта операция - Refresh - выполняется регулярно через отдельные промежутки (64 мс) для каждой строки массива памяти.

На выполнение операций, происходящих внутри оперативной памяти, уходит некоторое время. Именно его и принято называть таким знакомым словом «тайминги» (от англ. time). Следовательно, тайминги - временные промежутки, необходимые для выполнения тех или иных операций, осуществляющихся в работе ОЗУ.

Схема таймингов, указываемых на стикерах модулей памяти, включает в себя лишь основные задержки CL-tRCD-tRP-tRAS (CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Cycle Time (или Active to Precharge)). Все остальные, в меньшей мере оказывающие влияние на скорость работы ОЗУ, принято называть субтаймингами, дополнительными или второстепенными таймингами.

Приводим расшифровку основных задержек, возникающих при функционировании модулей памяти:

CAS Latency (CL) - пожалуй, самый важный параметр. Определяет минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

RAS to CAS Delay (tRCD) определяет интервал времени между подачей команд RAS и CAS. Обозначает число тактов, необходимых для поступления данных в усилитель.

RAS Precharge (tRP) - время, уходящее на перезарядку ячеек памяти после закрытия банка.

Row Active Time (tRAS) - временной промежуток, на протяжении которого банк остается открытым и не требует перезарядки.

Command Rate 1/2T (CR) - время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. При значении 1T команда распознается за один такт, при 2T - за два.

Bank Cycle Time (tRC, tRAS/tRC) - время полного такта доступа к банку памяти, начиная с открытия и заканчивая закрытием. Изменяется вместе с tRAS.

DRAM Idle Timer - время простоя открытой информационной страницы для чтения данных с нее.

Row to Column (Read/Write) (tRCD, tRCDWr, tRCDRd) напрямую связан с параметром RAS to CAS Delay (tRCD). Вычисляется по формуле tRCD(Wr/Rd) = RAS to CAS Delay + Rd/Wr Command Delay. Второе слагаемое - величина нерегулируемая, определяет задержку на выполнение записи/чтения данных.

Пожалуй, это базовый набор таймингов, зачастую доступный для изменения в BIOS материнских плат. Расшифровку остальных задержек, как и детальное описание принципов работы и определение влияния тех или иных параметров на функционирование ОЗУ можно найти в спецификациях уже упомянутой нами JEDEC, а также в открытых datasheet производителей наборов системной логики.

Основные тайминги памяти

Объяснение одного из таймингов tRP (Read to Precharge, RAS Precharge) с помощью типичной схемы в datasheet от JEDEC. Расшифровка подписей: CK и CK - тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock); COMMAND - команды, поступающие на ячейки памяти; READ - операция чтения; NOP - команды отсутствуют; PRE - подзарядка конденсаторов - ячеек памяти; ACT - операция активации строки; ADDRESS - адресация данных к банкам памяти; DQS - шина данных (Data Strobe); DQ - шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CL - CAS Latency в данном случае равен двум тактам; DO n - считывание данных со строки n. Один такт - временной промежуток, необходимый для возврата сигналов передачи данных CK и CK в начальное положение, зафиксированное в определенный момент.

Упрощенная блок-схема, объясняющая основы работы памяти стандарта DDR2. Она создана с целью демонстрации возможных состояний транзисторов и команд, которые их контролируют. Как видите, чтобы разобраться в столь «простой» схеме, потребуется не один час изучения основ работы ОЗУ (мы уже не говорим о понимании всех процессов, происходящих внутри чипов памяти).

Основы разгона оперативной памяти

Быстродействие ОЗУ в первую очередь определяют два показателя: частота работы и тайминги. Какой из них окажет большее влияние на производительность ПК, следует выяснять индивидуально, однако для разгона подсистемы памяти нужно использовать оба пути. На что же способны ваши модули? С достаточно высокой долей вероятности поведение плашек можно спрогнозировать, определив названия используемых в них чипов. Наиболее удачные оверклокерские микросхемы стандарта DDR - Samsung TCCD, UCCC, Winbond BH-5, CH-5; DDR2 - Micron D9xxx; DDR3 - Micron D9GTR. Впрочем, итоговые результаты будут зависеть и от типа РСВ, системы, в которой установлены модули, умения владельца разгонять память и просто от удачи при выборе экземпляров.

Пожалуй, первый шаг, который делают новички, - повышение рабочей частоты ОЗУ. Она всегда привязана к FSB процессора и выставляется с помощью так называемых делителей в BIOS платы. Последние могут выражаться в дробном виде (1:1, 1:1,5), в процентном выражении (50%, 75%, 120%), в режимах работы (DDR-333, DDR2-667). При разгоне процессора путем увеличения FSB автоматически возрастает частота работы памяти. К примеру, если мы использовали повышающий делитель 1:1,5, то при изменении частоты шины с 333 до 400 МГц (типично для форсирования Core 2 Duo) частота памяти поднимется с 500 МГц (333×1,5) до 600 МГц (400×1,5). Поэтому, форсируя ПК, следите, не является ли камнем преткновения предел стабильной работы оперативной памяти.

Следующий шаг - подбор основных, а затем дополнительных таймингов. Их можно выставлять в BIOS материнской платы или же изменять специализированными утилитами на лету в ОС. Пожалуй, самая универсальная программа - MemSet, однако владельцам систем на базе процессоров AMD Athlon 64 (K8) очень пригодится A64Tweaker. Прирост производительности можно получить лишь путем понижения задержек: в первую очередь CAS Latency (CL), а затем RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Active to Precharge (tRAS). Именно их в сокращенном виде CL4-5-4-12 указывают изготовители модулей памяти на стикерах продуктов. Уже после настройки основных таймингов можно переходить к понижению дополнительных.

Модули стандартов: a) DDR2; b) DDR; c) SD-RAM. Чипы (микросхемы) памяти. Комбинация «чипы + РСВ» определяет объем, количество банков, тип модулей (с коррекцией ошибок или без). SPD (Serial Presence Detect) - микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти. smd-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов. На стикерах производители обязательно указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги. РСВ - печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества РСВ зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

На результаты разгона оперативной памяти значительное влияние оказывает увеличение напряжения питания плашек. Безопасный для длительной эксплуатации предел зачастую превышает заявленные производителями значения на 10-20%, однако в каждом случае подбирается индивидуально с учетом специфики чипов. Для наиболее распространенной DDR2 рабочее напряжение зачастую равно 1,8 В. Его без особого риска можно поднять до 2-2,1 В при условии, что это влечет за собой улучшение результатов разгона. Впрочем, для оверклокерских модулей, использующих чипы Micron D9, производители заявляют штатное напряжение питания на уровне 2,3-2,4 В. Превышать эти значения рекомендуется только для кратковременных бенчинг-сессий, когда важен каждый дополнительный мегагерц частоты. Отметим, что при длительной эксплуатации памяти при напряжениях питания, отличающихся от безопасных для используемых чипов значений, возможна так называемая деградация модулей ОЗУ. Под этим термином понимают снижение разгонного потенциала модулей со временем (вплоть до неспособности работать в штатных режимах) и полного выхода плашек из строя. На деградационные процессы особо не влияет качество охлаждения модулей - даже холодные чипы могут быть им подвержены. Конечно, есть и примеры длительного успешного использования ОЗУ при высоких напряжениях, но помните: все операции при форсировании системы вы проводите на свой страх и риск. Не переусердствуйте.

Прирост производительности современных ПК можно получить, используя преимущества двухканального режима (Dual Channel). Это достигается за счет увеличения ширины канала обмена данными и роста теоретической пропускной способности подсистемы памяти. Такой вариант не требует специальных знаний, навыков и тонкой настройки режимов работы ОЗУ. Для активации Dual Channel достаточно иметь два или четыре модуля одинакового объема (при этом необязательно использовать полностью идентичные плашки). Двухканальный режим включается автоматически после установки ОЗУ в соответствующие слоты материнской платы.

Все описанные манипуляции приводят к увеличению быстродействия подсистемы памяти, однако заметить прирост невооруженным глазом зачастую сложно. При хорошей настройке и ощутимом повышении частоты работы модулей можно рассчитывать на прибавку производительности порядка 10-15%. Среднестатистические показатели более низкие. Стоит ли овчинка выделки и нужно ли тратить время на игры с настройками? Если хотите детально изучить повадки ПК - почему бы и нет?

ЕРР и XMP - разгон ОЗУ для ленивых

Далеко не все пользователи изучают особенности настройки ПК на максимальное быстродействие. Именно для новичков оверклокинга ведущие компании предполагают простые способы повышения производительности компьютера.

В отношении ОЗУ все началось с технологии Enhanced Performance Profiles (EPP), представленной NVIDIA и Corsair. Материнские платы на базе nForce 680i SLI первыми предоставили максимальную функциональность в плане настройки подсистемы памяти. Суть ЕРР довольно проста: производители ОЗУ подбирают гарантированные нестандартные скоростные режимы функционирования собственных продуктов, а разработчики системных плат предоставляют возможность их активировать через BIOS. EPP - расширенный перечень настроек модулей, дополняющий базовый набор. Существует две версии ЕРР - сокращенная и полная (два и одиннадцать резервных пунктов соответственно).

Дальнейшее развитие данной темы - концепция Xtreme Memory Profiles (ХМР), представленная компанией Intel. По своей сути данное новшество не отличается от ЕРР: расширенный набор настроек для ОЗУ, гарантированные производителями скоростные режимы записаны в SPD планок и при необходимости активируются в BIOS платы. Поскольку Xtreme Memory Profiles и Enhanced Performance Profiles предоставлены разными разработчиками, модули сертифицируются под их собственные наборы системной логики (на чипсетах NVIDIA или Intel). XMP, как более поздний стандарт, относится только к DDR3.

Безусловно, несложные в активации резервов ОЗУ технологии EPP и XMP пригодятся новичкам. Однако позволят ли производители модулей просто так выжать максимум из своих продуктов? Хотите еще больше? Тогда нам по пути - будем глубже вникать в суть повышения быстродействия подсистемы памяти.

Итоги

В небольшом материале сложно раскрыть все аспекты работы модулей, принципы функционирования динамической памяти вообще, показать, насколько повлияет изменение одной из настроек ОЗУ на общую производительность системы. Однако надеемся, что начало положено: тем, кто заинтересовался теоретическими вопросами, настоятельно рекомендуем изучить материалы JEDEC. Они доступны каждому желающему. На практике же опыт традиционно приходит со временем. Одна из главных целей материала - объяснение новичкам основ разгона подсистемы памяти.

Тонкая настройка работы модулей - дело довольно хлопотное, и если вам не нужна максимальная производительность, если каждый балл в тестовом приложении не решает судьбу рекорда, можно ограничиться привязкой к частоте и основным таймингам. Существенное влияние на быстродействие оказывает параметр CAS Latency (CL). Выделим также RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и Cycle Time (или Active to Precharge) (tRAS) - это базовый набор, основные тайминги, всегда указываемые производителями. Обратите внимание и на опцию Command Rate (наиболее актуально для владельцев современных плат на чипсетах NVIDIA). Впрочем, не стоит забывать о балансе характеристик. Системы, использующие неодинаковые контроллеры памяти, по-разному могут реагировать на изменения параметров. Разгоняя ОЗУ, следует придерживаться общей схемы: максимальный разгон процессора при пониженной частоте модулей → предельный разгон памяти по частоте с наихудшими задержками (изменением делителей) → снижение таймингов при сохранении достигнутых частотных показателей.

Дальше - тестирование производительности (не ограничивайтесь лишь синтетическими приложениями!), затем новая процедура разгона модулей. Установите значения основных таймингов меньше на порядок (скажем, 4-4-4-12 вместо 5-5-5-15), с помощью делителей подберите максимальную частоту в таких условиях и протестируйте ПК заново. Таким образом возможно определить, что больше всего «по душе» вашему компьютеру - высокая частота работы или низкие задержки модулей. После чего переходите к тонкой настройке подсистемы памяти, поиску минимальных значений для субтаймингов, доступных для корректировки. Желаем удачи в этом нелегком деле!

Владельцы ноутбуков рано или поздно приходят к решению разогнать оперативную память своего устройства. Гаджет перестает справляться с некоторыми задачами, а разгон оперативки может заметно улучшить работу портативного компьютера.

Замена планки ОЗУ

Самый простой способ - замена модуля оперативной памяти. Чтобы добавить новый модуль, вам потребуется:

1. Отключить зарядное устройство.
2. Извлечь батарею.
3. Снять нижнюю крышку с отсеком для слотов ОЗУ и жесткого диска.
4. Установить модуль оперативки с лучшими параметрами.

Для того, чтобы расширить память таким способом, нужно знать тип модулей ОЗУ (DDR3, DDR4 и т. д.). Специальные программы (CPU-Z) дают возможность узнать о типе памяти без разборки ноутбука.

Разгон оперативки самостоятельно

Нарастить мощность ОЗУ ноутбука несколько сложнее. В стационарном ПК 80% времени уходит на оптимальный подбор параметров в BIOS, а в мобильном ПК увеличить параметры оперативки изменениями данных в BIOS не получится. В ноутбуках просто нет расширенных настроек BIOS.

Перед принятием решения добавить оперативке производительности, следует помнить, что чрезмерные нагрузки на некоторые узлы снизят ресурс их работы, а также быстрее выведут детали из строя. Поэтому действовать придется на свой страх и риск. Быстродействие ноутбука зависит от параметров ОЗУ, ЦПУ и видеокарты. Все эти параметры можно изменить в сторону улучшения работоспособности.

В некоторых моделях портативных ПК есть возможность регулировки частоты системной шины - связующего звена между оперативкой и процессором. Производители техники часто блокируют в BIOS возможность изменения частоты системной шины, поэтому корректировать параметры можно только с помощью внешних приложений. Например, программа SetFSB позволяет регулировать частоту. При этом важно следить за состоянием системы, так как температура устройства сильно возрастает.

Впечатляющие результаты дает разгон оперативки, если шины процессора и оперативной памяти разделены. В таком случае можно увеличить частоту оперативки почти на 30%. Утилиты типа RMClock или VCore дают возможность увеличить питание процессора. Изменяя показатели частот и наблюдая за температурой, можно добиться впечатляющих результатов.

В случае успешного разгона производительность ноутбука возрастает в разы. Но и риски самостоятельных операций достаточно высокие. В случае неудачного разгона ремонт обойдется гораздо дороже, чем ремонт устройства до разгона.

Существуют не только методы разгона оперативной памяти при помощи специальных программ и утилит. Опытные компьютерщики с помощью паяльника и мода тактового генератора «обманывали» систему, заставляя чипсет «думать», что он работает на одной частоте, в то время как тактовый генератор работал на другой.

Оперативная память является важным компонентом компьютера или ноутбука, который частично определяет его быстродействие и возможности. Немногие знают о том, что производительность устройств можно существенно повысить, не прибегая к замене основных элементов. Делается это путем «разгона» установленных микросхем, в том числе и ОЗУ. Процесс разгона отличается от повышения мощности процессора или видеопамяти. Мы расскажем вам, как сделать это правильно, не допуская ошибок.

Многие IT-специалисты указывают на то, что производители зачастую устанавливают ограничение на возможность искусственного увеличения производительности . Кроме этого, повышение скорости работы ОЗУ зачастую проводится после разгона установленного процессора. Отдельно обе важные составляющие компьютера разгоняются крайне редко, так как их работа отвечает за основные функции. Что касается видеокарты, то ее подвергают разгону и отдельно - все зависит от того, для обработки каких данных проводится увеличение производительности.

Одной из основных характеристик ОЗУ считают объем, который принято измерять в гигабайтах. Однако на производительность оказывает влияние частота работы, пропускная способность и другие характеристики, которые редко указываются в кратком описании компьютера. Под «разгоном» понимают включение особых режимов работы за счет:

1. Увеличения показателя тактовой частоты . Как правило, этот параметр изменяется при разгоне процесса, что позволяет использовать его всю вычислительную мощность.
2. Изменения количества таймингов, которые возникают при одном цикле . При уменьшении этого показателя обмен электрическими сигналами будет проходить гораздо чаще, за счет чего повышается пропускная способность установленных планок.

Некоторые IT-специалисты выделяют метод повышения производительности, который связан с изменением показателей электрического напряжения в установленной микросхеме.

Оптимальные методы разгона

При изготовлении микросхемы рассматриваемого типа могут использоваться самые разные архитектуры, в большинстве случаев можно только максимально повысить тактовую частоту или пропускную способность - обе сразу не получится. Некоторые выбирают компромиссное сочетание устанавливаемых настроек.

1. При повышении тактовой частоты придется замедлить тайминг, в противном случае компьютер не будет работать стабильно и есть вероятность потери информации.
2. При ускорении тайминга показатель тактовой частоты рекомендуют оставить на заводском уровне.

Кроме этого, после проведения работы по разгону компьютера можно заметить, что он начинает работать медленнее. Это связано с тем, что не каждый процессор и ОЗУ предназначены для разгона. В некоторых случаях с заводскими настройками они работают куда лучше и стабильнее.

Что следует знать о частоте ОЗУ

Разгон оперативной памяти ddr3 или другого типа многие проводят для увеличения тактовой частоты . Ее показатель определяет, сколько операционных тактов производит установленная микросхема в секунду. С увеличением данного значения микросхема начинает работать быстрее, время между действием пользователя и откликом устройства снижается.

Производители ОЗУ типа DDR указывают два типа тактовой частоты:

1. Реальная.
2. Эффективная.

Показатель эффективной, как правило, в два раза больше реальной. Показатель реальной тактовой частоты редко можно встретить в описании оперативной памяти, для ее определения приходится искать подробную спецификацию или использовать программу мониторинга производительности компьютера.

Рабочее напряжение

Все части компьютера работают исключительно под своим напряжением, для некоторых оно может быть переменчивым . Этот момент следует учитывать при рассмотрении процесса разгона. Ранее распространенный тип памяти DDR 2 работает при 1,8 вольта.

На сегодняшний день распространенная память типа DDR 3 при 1,5 вольта. Специалисты утверждают, что эти пороги можно несущественно превысить. Для DDR 2 выставляется значение 2,2 вольта, для DDR 3 показатель составляет 1,65 вольта.

При превышении этих значение микросхема начнет работать неправильно, могут появиться существенные сбои. Кроме этого, IT-специалисты утверждают, что даже самая качественная микросхема от известного производителя может плохо воспринять повышение напряжения. Поэтому если в этом нет особой надобности, то лучше всего оставлять заводские настройки.

Использование тестов

Точного способа разогнать оперативную память ddr3 нет . Это связано с тем, что существует огромное количество планок ОЗУ, каждая может отреагировать по-разному на изменение заводских параметров. Именно поэтому выходом из ситуации становится подбор наиболее подходящих настроек при тестировании каждого изменения. Для этого можно использовать специальные программы, которые существенно упрощают поставленные задачи.

При выборе программ для тестирования работы компьютера рекомендуется уделить внимание следующим:

1. PC Mark.
2. Everest.

Выделить лучшую программу с двух вышеприведенных сложно, так как каждая имеет свои достоинства и недостатки. Почему именно эти две программы при огромном выборе? Ответ довольно прост - они не только делают мониторинг основных показателей при нагрузке или простое устройства, но и имеют функцию отслеживания стабильности работы многих моделей ОЗУ. Подобным образом снижают вероятность того, что проведенные изменения приведут к потере стабильности работы оперативной памяти.

Инструменты изменения показателей

Выставить необходимые значения можно при использовании самых различных инструментов. Выделяют два основных метода:

1. Использование интерфейса БИОСа.
2. Установка и использование сторонней программы.

Многие специалисты в рассматриваемом вопросе рекомендуют воспользоваться первым методом, так как стороннее ПО может работать некорректно , быть несовместимым с конкретными типами ОЗУ. Кроме этого при использовании БИОСа разгон осуществляется на низком уровне взаимодействии с аппаратными компонентами, за счет чего можно достигнуть лучших результатов.

Среди ключевых нюансов отмечают следующие моменты:

1. К изменению показателя частоты работы устройства следует относиться с осторожностью , так как правильная корректировка заключается не только во введении одной цифры. Частота зависит от произведения двух основных значений: FSB и BCLK. Получаемое значение принято считать «опорной частотой». Если будет проводиться изменение только множителя, то увеличить производительность будет невозможно.
2. Принято уделять внимание особенностям процессора при разгоне модулей ОЗУ , так как этот элемент более важен в системе. Часто наблюдается ситуация, что одинаковые значения тайминга и тактовой частоты при различных процессорах дают разный результат. При этом точные рекомендации сложно найти, производители и вовсе не рекомендуют проводить изменение устанавливаемых настроек.
3. Результат проведения работы по разгону зачастую непредсказуемый, но увеличить шансы на успех можно при изучении специализированных форумов, где можно найти пример похожего сочетания процессора и планок памяти.

Процессоры Intel и AMD

Тесты, которые проводятся при разгоне оперативной памяти, указывают на то, что процессоры Intel, построенные на современной архитектуре, плохо поддаются корректировке в отношении параметра BCLK. Если провести его изменение, то велика вероятность возникновения серьезных сбоев.

Эта информация определяет то, что изменить «опорную частоту» будет довольно сложно. Поэтому единственный выход из сложившей ситуации - изменение показателя множителя, что обычно приводит к незначительному повышению мощности .

Некоторые из процессоров рассматриваемого производителя хорошо реагируют на подобные эксперименты. Примером назовем Core i7−8. При их производстве используется архитектура Lynnfield.

На результаты проводимых экспериментов может оказать влияние и тип материнской памяти . Данный элемент компьютера также имеет чипсет, который отвечает за обработку некоторой информации.

Процессоры, выпускаемые под брендом AMD, постепенно уходят с рынка. При этом они ведут себя более предсказуемо при увеличении производительности оперативной памяти, что позволяет снизить вероятность возникновения ошибок.

В заключение отметим, что повышение производительности всегда приводит к выделению большего количества тепла. Поэтому при недостаточном охлаждении системного блока следует провести установку более мощной системы отвода тепла, так как велика вероятность перегрева.

Видео

Из этого видео вы узнаете, как правильно настроить и разогнать оперативную память вашего ПК.

Не получили ответ на свой вопрос? Предложите авторам тему.

Поскольку процессоры Intel Q6600 разгоняются довольно хорошо, частота шины была сразу увеличена с 266 МГц до 333 МГц:

Однако так как от шины зависит не только частота процессора, но и памяти, то разогналась и она. Здесь использовались модули памяти DDR-2 800 МГц, для которых частота в 1000 МГц может оказаться непосильной. Чтобы избежать переразгона, частоту оперативной памяти следует понизить с помощью ещё одной настройки – множителя (для некоторых платформ более правильно использовать слово «делитель») памяти.

В BIOS’е Gigabyte GA-P35-DS3R эта настройка называется System Memory Multiplier. Перемножением частоты шины на этот множитель определяется частота оперативной памяти. Поскольку после разгона шина будет работать на 333 МГц, то определить требуемый множитель памяти можно делением исходной частоты памяти на частоту шины: 800/333=2,4. Задаем это значение в настройках BIOS’а:

Материнская плата красным текстом предупреждает, что были изменены настройки с заводских на другие. Ничего страшного в этом нет. Память как работала на частоте 800 МГц, так и работает. Для ее разгона в данном случае нужно всего лишь задать большее значение множителя (но при этом не слишком большое):

Разгон с 800 МГц до 833 МГц это, конечно, не серьезно, но следующее значение множителя после 2,5 сразу 3,0, что слишком много. Более удачнее удалось бы разогнать при возможности увеличения множителя процессора: в паре с подбором требуемой частоты шины настроить систему можно более гибко. В данном случае была предпринята попытка снижения множителя с 9,0 до 8,0. Для достижения частоты 3000 МГц шина должна заработать на 375 МГц, а при множителе памяти равным 2,4 ОЗУ получит частоту 900 МГц. Память с таким разгоном не справилась - ПК постоянно зависал. При множителе памяти 2,0 получаем всего лишь 750 МГц – ниже номинала. Поэтому было решено в рамках первой попытки разгона остановиться на варианте 333х9,0.

Для успешного и значительного разгона процессора часто требуется небольшое увеличение напряжения. На 5-10%. Выбираем пункт CPU Voltage Control, заходим в него, устанавливаем, к примеру, 1,35 В:

Таким образом, процессор был разогнан по шине с 2400 МГц до 3000 МГц (333х9) с небольшим увеличением напряжения.

Для разгона оперативной памяти в некоторых случаях необходимо так же, как и для процессора, немного увеличить напряжение. Делается это аналогичным способом. Выбираем требуемый пункт:

Устанавливаем увеличение напряжения на +0,1 В, жмем Enter.

Перед выходом из BIOS проверяем все настройки:

Если все в порядке, нажимаем клавишу F10, затем Enter.

При старте ПК наблюдаем новую частоту процессора:

Если получился переразгон, то система может не стартовать. В этом случае на плате следует отыскать пластиковую перемычку возле круглой серебристой батарейки. Перемычка Clear Cmos по умолчанию замыкает два контакта из трех. Переставляем ее на несколько секунд так, чтобы замкнуть средний контакт с другим, бывшим до этого свободным. Затем возвращаем перемычку на прежнее место, стартуем, заново настраиваем BIOS, поскольку после такой манипуляции материнская плата сбросит все настройки на заводские.

Вот так за пару минут можно прибавить 600 МГц к частоте процессора. Но это пока лишь первое приближение к искомому результату.

На материнских платах с AMI BIOS’ом все выполняется аналогично. Выглядит он следующим образом:

Для разгона сразу переходим в раздел «Advanced»:

Интересующие оверклокера настройки собраны в закладках «CPU configuration» и «Chipset configuration». Заходим в первую:

Частота шины здесь называется «CPU Host Frequency». По аналогии с Award BIOS переключаем на ручное управление, в Manual.

После этого можно заняться частотой. Остальные параметры (напряжения, множитель/делитель памяти и так далее) меняются аналогичным образом:

Кроме AWARD и AMI существует относительно недавно появившийся UEFI BIOS. К его основным особенностям относят графический интерфейс с поддержкой мыши и возможность работы с винчестерами емкостью 3 ТБ и более.

Многие ошибочно считают, что для увеличения производительности компьютера надо гнать в первую очередь процессор и чем выше разгон, тем лучший прирост в FPS. Хотя отчасти это правда и частота очень сильно влияет на производительность вашего компьютера, многое зависит также от скорости оперативной памяти, а также от частоты видеоядра и его памяти. О том, как разогнать видеокарту, мы уже рассказывали в отдельной статье. Теперь пришло время уделить внимание частоте оперативной памяти. Грамотный разгон вашей RAM позволит существенно повысить производительность. Прелесть разгона RAM также в том, что, в отличие от или процессора, более высокие частоты и вольтаж памяти не приводят к выделению очень большого количества тепла. Да, память все равно греется, но это тепловыделение не идет ни в какое сравнение с тепловыделением разогнанного процессора или видеокарты.

Даже если в вашем компьютере установлена очень быстрая память (к примеру, вы купили плашки DDR4-3200), но вы не увеличивали ее частоту, она все равно будет работать на стоковой частоте в районе 2133 МГц. Это значит, что даже самая крутая память по умолчанию работает на минимальной для DDR4-стандарта частоте (для DDR3 этот показатель равен 1333 МГц, а более старые варианты мы уже не рассматриваем). Именно поэтому важно гнать память. Попросту говоря, ваши деньги зря простаивают, если крутая память работает чуть ли не в половину своих способностей. Если же у вас более скромная память и ее стоковые частоты не впечатляют своими характеристиками, ее все равно можно и нужно гнать, поскольку подавляющее большинство плашек способно работать на частотах выше заявленных, а это равно бесплатному увеличению производительности.

Также надо понимать, что производительность отдельных процессоров напрямую зависит от скорости оперативной памяти. К примеру, первое поколение семейства AMD Ryzen демонстрировало существенный прирост вычислительной мощности, когда используется разогнанная память. Если ваш CPU не столь чувствителен к частотам памяти, более высокая частота все равно никогда не будет лишней.

Разгон оперативной памяти компьютера

Прежде чем переходить непосредственно к пыткам вашей памяти и материнской платы, надо обратить внимание на несколько нюансов. От них зависит, сможете ли вы в принципе разогнать свою оперативную память и какой от этого будет прирост.

• Чипсет материнской платы должен поддерживать разгон. Если внутри вашего компьютера трудится процессор Intel, материнская плата должна быть на чипсете Z. Чипсеты H и B не поддерживают разгон ни памяти, ни процессора. В теории вы можете увеличить частоту памяти до максимально поддерживаемой процессором на заблокированном чипсете, но она зачастую не выше стоковой частоты подавляющего большинства плашек. Это же правило касается и процессоров AMD. Разгон памяти будет возможен лишь на чипсетах B и X (процессоры Ryzen). Если у вас компьютер на старых процессорах AMD и Intel, сверьтесь со спецификациями материнской платы. Для начала вам надо знать, а затем поискать ее характеристики в Интернете. Если материнская плата не поддерживает разгон, чтение инструкции на этом можете заканчивать. При проверке возможностей разгона также проверьте максимально поддерживаемую частоту. На ноутбуках разгон памяти тоже возможен, но он будет зависеть от того, есть ли в BIOS нужные вам параметры.
• Учтите, что в спецификациях вашего процессора может быть указана очень низкая поддерживаемая частота. Это значение не является «потолком». Производитель лишь гарантирует, что на этой частоте процессор точно будет работать. Вы можете легко поднимать эту частоту значительно выше указанной и не переживать за совместимость с процессором.
• Если материнская плата поддерживает разгон памяти (в случае с процессорами Intel для разгона памяти не обязательно иметь процессор с суффиксом K. Если чипсет позволяет, гнать память можно вне зависимости от того, разблокированный у процессора множитель или нет), проверьте, в каком режиме работает память. Для максимальной выгоды от разгона надо использовать двухканальный режим, когда объем памяти разделен двумя плашками. Гнать можно и одноканальную память, но в таком случае вы не получите практически никакого профита от этой затеи. Кстати, двухранговые плашки памяти (когда чипы памяти распаяны с обеих сторон платы) демонстрируют лучшую производительность при разгоне.
• При разгоне памяти вам надо приготовиться к тому, что компьютер будет зависать и крашится, а в некоторых случаях даже не проходить POST и зависать при старте. Это норма. Фризы и падения являются неотъемлемой частью разгона любого компонента компьютера. Они помогают определить лимит вашего железа и точно выловить желанную частоту при разгоне. Учтите, что вам надо также знать, потому что при неправильном разгоне система может перестать стартовать вообще и вернуть ее в чувство можно будет только сбросом BIOS. Если вы не уверены в своих силах, лучше даже не начинайте.
• При разгоне всегда есть вероятность навредить компьютеру, поэтому мы не несем ответственности за результаты ваших действий. Все же шансы что-то спалить очень низкие, если вы неспеша и без фанатизма подходите к разгону. Не стоит сразу задирать частоты до максимумов или повышать до предела вольтаж. Все делается постепенно и небольшими шагами.
• Не стоит разочаровываться, если память не погналась выше двух шагов (к примеру, 1333 МГц – 1600 МГц – 1866 МГц). Даже разгона в один-два шага будет достаточно для существенного «буста» вашей системы.

Проверить, в каком режиме сейчас работает ваша память, можно в BIOS или при помощи небольшой утилиты CPU-Z. Скачайте ее на официальном сайте и запустите. Перейдите на вкладку Memory . Здесь будет отображаться стандарт, объем памяти, канал (одноканальный / двухканальный / четырехканальный), частота северного моста, частота памяти и тайминги. CPU-Z удобна тем, что позволяет сразу узнать все характеристики памяти и не блуждать по разделам BIOS.

Когда все готово, и вы морально настроили себя на разгон, начинайте процедуру с перезагрузки компьютера и входа в BIOS (если вы не знаете, как зайти в BIOS, лучше прекратить чтение этой статьи прямо сейчас ).

Разгон памяти – весьма капризный процесс, поскольку вам надо не только поднимать частоту и при необходимости вольтаж, но и «ослаблять» тайминги в особых случаях. Тайминги напрямую влияют на производительность памяти и чем они ниже, тем лучше. При разгоне тайминги надо повышать, если не помогает увеличение вольтажа. При этом минус производительности от этого действия компенсируется увеличенной частотой.

Для начала найдите раздел с настройками частоты памяти в вашем BIOS. У каждой материнской платы он может быть подписан по-разному. Эта статья написана на примере платы Gigabyte с UEFI. На остальных платах интерфейсы будут отличаться, но принцип все тот же.

Первым делом включите профиль AMP (он также называется XMP ). На современных платах включение XMP-профиля позволяет выбрать частоту и тайминги из предустановленного списка, что существенно упрощает процесс разгона.

Если у вашей платы есть предустановленные списки частот и таймингов, выбирайте из него тот, что на шаг выше вашей стоковой частоты, затем перезагрузитесь в систему и протестируйте стабильность работы памяти. Для проверки стабильности достаточно открыть браузер или запустить игру, чтобы понять, насколько хорошо работает память. Конечно, можно использовать приложения-бенчмарки, но мы здесь практикуем не научный лабораторный подход, а более доступный для обычного юзера способ. Если тест пройден и система не падает под нагрузкой, пробуйте поднять частоту еще и до тех пор, пока не наткнетесь за сбой в работе.

Совет : каждый раз, когда вы находите рабочие частоты и параметры, записывайте их и затем пытайтесь улучшить (понизить вольтаж или понизить тайминги). В этом вам будет полезна та же CPU-Z.

Если предустановленных списков частот и таймингов нет, придется гнать вручную (профиль все равно надо включать). Да и ручной разгон зачастую дает лучшие результаты. Пробуйте поднять частоту памяти без изменения таймингов и вольтажа. Просто поднимите частоту на один шаг. К примеру, 1333-1600. На скриншоте вы можете увидеть, что за параметр частоты оперативной памяти отвечает System Memory Multiplier (множитель системной памяти). Сохраните изменения и перезагрузитесь. Проверьте стабильность работы памяти.

Если компьютер не хочет загружаться с этими параметрами или во время нагрузки на память падает в синий экран смерти или зависает, вам надо попытаться увеличить вольтаж. Не стоит поднимать вольтаж очень высоко, особенно на плашках без радиаторов охлаждения. Безопасным пределом будет +0.1-0.15 В (да, слишком высокий вольтаж может запросто сжечь вашу память). Настройки вольтажа на нашей плате можно найти в разделе M . I . T – Advanced Voltage Settings – DRAM Voltage . Для DDR3 стандартный вольтаж находится на уровне 1.5 В, а для DDR4 1.2 В.

Если повышение вольтажа не дало результатов, пробуйте ослабить тайминги. Для этого зайдите в BIOS, выставьте желаемую частоту, а затем перейдите в раздел с настройки таймингов. На нашей плате он расположен в M.I.T - Advanced Memory Settings – Channel A / B Timing Settings . Тайминги надо настраивать для каждого канала отдельно, и они должны быть одинаковыми для обеих плашек. Поднимите основные значения (CAS / tRCD / tRP / tRAS) на +1 или +2, а затем попытайтесь снова загрузиться. Если же и тайминги не смогли дать желанного результата, измените в параметрах таймингов Command Rate на 2 . Снова сохраните параметры, перезагрузите компьютер и попытайтесь добраться до операционной системы и приложений.

Тайминги очень капризны и рабочие параметры будут зависеть от каждой индивидуальной модели. Если у вас популярная модель памяти, попытайтесь погуглить параметры разгона. Возможно, кто-то из других пользователей смог разогнать вашу память и опубликовал в Интернете значения частоты, вольтажа и таймингов. Это существенно упростит вам процедуру разгона.

При разгоне памяти надо понимать, что есть вероятность нулевого разгона, когда память не захочет разгоняться в принципе. Это может случиться в том случае, если вы пытаетесь разогнать очень старую память, выпущенную во времена, когда ее техпроцесс и стандарт еще не были хорошо освоены. С другой стороны, свежая память, выпущенная спустя много ревизий и доработок техпроцесса, обеспечит вас более высокими шансами на разгон. Каждый чип уникален, а потому и разгонный потенциал разный. Если не получилось разогнать память вообще, смиритесь с тем, что вам надо либо купить новую память, поддерживающую более высокие частоты, либо сидеть со стоковой.

Когда вы определились с частотами, вольтажом и таймингами, стоит также разогнать контроллер памяти, он же северный мост. Это очень важно сделать, чтобы добиться максимальной отдачи от разгона. Благо, гнать контроллер гораздо проще и все сводится зачастую до указания частоты моста и его вольтажа.

Для справки : не на всех процессорах поддерживается разгон моста. К примеру, на Ryzen такой опции нет в принципе. Также не на всех материнских платах есть параметры для разгона частоты и вольтажа северного моста. Если вы не нашли этих параметров, придется удовлетвориться разгоном лишь одной оперативной памяти.

В разделе M . I . T . Advanced Frequency Settings за разгон северного моста отвечает параметр NB Clock (Mhz ) . На моем компьютере стандартная частота составляет 1 800 МГц. Увеличивайте ее на 100-200 МГц. Начинайте гнать без изменения вольтажа. Только частоты. Каждый раз, когда устанавливаете новое значение, перезагружайтесь и проходите тесты на стабильность.

Когда удалось найти частоту, при которой стандартного вольтажа уже недостаточно (система может зависнуть или упасть на экране загрузки Windows, к примеру), попытайтесь либо увеличить вольтаж, либо удовлетвориться последней стабильной частотой. Увеличивается вольтаж моста в разделе M . I . T . Advanced Voltage Settings – NB Core . Как и в случае с памятью, увеличивайте значения на десятые доли вольта.

Желаем всем частот как можно выше, вольтажа как можно ниже и производительности как можно больше!